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357201460
商品编码 | 商品名称 |
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8486202200 | 高真空蒸着镀膜设备 |
8486202200 | 高真空电子束蒸镀系统(物理沉积/实验室用) |
8486202200 | 高功率脉冲磁控溅射沉积系统 |
8486202200 | 镀膜设备 |
8486202200 | 镀膜机用晶片盖板 |
8486202200 | 镀膜机 |
8486202200 | 铂金埃尔默溅射系统(旧) |
8486202200 | 金属镀膜系统 |
8486202200 | 金属蒸镀机用金属镀锅 |
8486202200 | 蒸发台(旧) |
8486202200 | 等静压机 |
8486202200 | 端导真空溅射镀膜机 |
8486202200 | 离子束辅助沉积镀膜系统;辅助红外器件镀膜;沉淀金属;牛津 |
8486202200 | 磁控溅射镀膜机 |
8486202200 | 磁控溅射设备(旧,物理气相沉积装置)ALCATEL COMPTECH |
8486202200 | 磁控溅射系统(镀膜专用) |
8486202200 | 磁控溅射和电子束蒸发一体薄膜沉积系统;用于基片上沉积制备金属或氧化物薄膜材料;进行膜层材料的沉积,并可控制沉积膜层的速率和厚度;DE |
8486202200 | 硅片蒸发台(旧) |
8486202200 | 真空蒸发台 |
8486202200 | 电子束镀膜机(物理气相沉积装置) |
8486202200 | 电子束蒸发镀膜设备 |
8486202200 | 电子束蒸发台 |
8486202200 | 物理气相淀积装置PVD(旧) |
8486202200 | 物理气相沉积设备(旧) |
8486202200 | 物理气相沉积设备/在硅片表面 |
8486202200 | 物理气相沉积设备/APPLIED牌 |
8486202200 | 物理气相沉积设备(旧) |
8486202200 | 物理气相沉积设备 (旧) |
8486202200 | 物理气相沉积设备 |
8486202200 | 物理气相沉积装置 |
8486202200 | 物理气相沉积仪 |
8486202200 | 溅镀系统 |
8486202200 | 溅镀机 |
8486202200 | 溅射机 |
8486202200 | 溅射台(物理气相沉积设备) |
8486202200 | 溅射台(旧) |
8486202200 | 溅射台 |
8486202200 | 旧溅射装置/七成新 |
8486202200 | 小型蒸金溅射台(旧) |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)4012# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)4003# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)4002# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)4001# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)306# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)305# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)303# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)302# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)301# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)300# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)26# |
8486202200 | 射频发生器(PVD装置用)20# |
8486202200 | 多功能离子束联合溅射系统 |
8486202200 | 喷胶机 |
8486202200 | 半导体金属离子PVD蒸发系统/2004年产/七成新 |
8486202200 | 半导体行业用金属溅射设备 |
8486202200 | 半导体用物理气相沉积设备(旧) |
8486202200 | 半导体PVD真空溅射镀膜机/2006年产/七成新 |
8486202200 | 前电极磁控溅射沉积系统 |
8486202200 | 制造半导体器件或集成电路用物理气相沉积装置 |
8486202200 | 分子束外延腔体组件 |
8486202200 | 全自动磁控离子溅射仪 |
8486202200 | 介质膜蒸镀机上的镀锅 |
8486202200 | 二氧化碳发泡机 |
8486202200 | 丹顿真空磁控离子溅射台溅射成膜 |
8486202200 | WB3100焊线机 |
8486202200 | PVD磁控溅射镀膜线 |
8486202200 | PVD |